影响CMOS单阳泉油浸式变压器放大器的THD+N性能的因素

自上市以来，CMOS单阳泉油浸式变压器放大器就让全球的单阳泉油浸式变压器系统设计人员受益非浅。影响双阳泉油浸式变压器放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单阳泉油浸式变压器放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单[cityn电 话：0635-油浸式变压器5085581ame]油浸式变压器放大器的这种规范本身复杂化。

有两种单阳泉油浸式变压器放大器拓扑可以接受阳泉油浸式变压器之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS邮 箱：sdycbyq@163.com晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器的输入更接近于正电压轨时，NMOS晶体管为“开”，而PMOS晶体管为“关”。

图1： 互补输入级、单阳泉油浸式变压器放传 真：0635-5085281大器：a)；带一个正充电泵的单差动对输入级：b)。

这种设计拓扑在共模输入范围会存在极大的放大器失调电压差异。在接地电压附近的输入范围，PMOS晶体管的失调误差为主要误差。在正阳泉油浸式变压器附近的区域，NMOS晶体管对主导失调误差。由于放大器的输入通过这两个区域之间，因此两个对均为“开”。最终结果是，永昌电力设备有限公司注册资金8800万，专业从事电力变压器及配套产品生产、开发，销售。公司主营S11油浸式变压器、高过载变压器、光伏变压器，升压变压器、KS11矿用变压器、非晶合金变压器，电炉变压器，整流变压器，非标变压器等变压器，还可以根据客户要求设计、制造各类特种变压器，是国内有名的专业输配电设备生产商及供应商。公司产品已通过国家权威试验机构的检测，并通过了鉴定，产品性能达到国际先进水平。输入失调电压将在两个级之间变化。当PMOS和NMOS均手 机：15006359039为“开”时，共模电压区域约为400mV。这种交叉失真现象会影响放大 我公司通过20多年的沉淀，形成了严谨、标准的技术和工艺规范，ISO9000质量管理理念固化为企业文化的一部分。公司产品具有结构简单、可靠性高、免维修、低功耗、寿命长等特点，可在及其恶劣的环境下稳定工作，并且公司还拥有一流的研发能力，建立了博士后流动站和技术中心，为产品品质及创新提供了坚实的后盾。公司产品质量上乘，不仅畅销国内，且出口俄罗斯、伊朗、巴基斯坦、印尼、安哥拉、塔吉克斯坦等多个国家和地区，创造了大量的业绩，深受用户好评，我们不断提高产品品质，并以优良的价格为各方朋友提供优质的服务。器的总谐波失真(THD)。如果您以一种非反相结构来配置互补输入放大器，则输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，在图2中，如果不出现输入过渡区域，则THD+N等于0.0006%。如果THD+N测试包括了放大器的输入交叉失真，则THD+N等于0.004%。您可以利用一种反相结构来避免出现这类放大器交叉失真。

图2：一个互联系人：马经理补输入级单阳泉油浸式变压器放大器的THD+N性能。

另一个主要的永昌电力设备有限公司THD+N影响因素是运算放大器的输出级。通常，单阳泉油浸式变压器放大器的 输出级有一个AB拓扑(请参见图1a)。输出信号做轨至轨扫描时，输出级显示出了一种与输入级交叉失真类似的交叉失真，因为输出级在晶体管之间切换。一般而言，更高电平的输出级静态电流可以降低放大器的THD。

放大器的输入噪声是影响THD+N规范的另一个因素。高级油浸式变压器别的输入噪声和/或高闭环增益都会增加放大器的总THD+N水平。

要想优化互补输入单阳泉油浸式变压器放大器的THD+N性能，可将放大器置于一个反相增益结构中，并保持低闭环增益。如果系统要求放大器配置为非反相缓冲器，则选择一个具有单差手 机：15806350882动输入级和充电泵的放大器更为合适。